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MMBT2907ALT1G Transistor bipolari PNP 600mA 60V 300mW SOT-23(SOT-23-3) – BJT RoHS

Breve descrizione:

Produttore: MMBT2907ALT1G
Produttore: ON Semiconductor
Pacchetto: SOT-23 (SOT-23-3)
Descrizione: Transistor bipolari – BJT 600mA 60V PNP
Scheda tecnica: Contattaci.


Dettagli del prodotto

Tag del prodotto

Parametro del prodotto

Attributo Valore
Produttore: SU Semiconduttore
Categoria di prodotto: Transistor bipolari - BJT
RoHS: Dettagli
Stile di montaggio: SMD/SMT
Confezione/caso: SOT-23-3
Polarità del transistor: PNP
Configurazione: Separare
Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max: - 60 V
Collettore-Base Tensione VCBO: - 60 V
Emettitore- Base Tensione VEBO: 5V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: - 1,6 V
Corrente massima del collettore CC: 0,6 A
Pd - Dissipazione di potenza: 225 mW
Guadagno Larghezza di banda Prodotto fT: 200MHz
Temperatura operativa minima: - 55 C
Temperatura operativa massima: + 150 C
Serie: MMBT2907AL
Confezione: Tagliare il nastro
Confezione: Bobina di topo
Confezione: Bobina
Altezza: 0,94 mm
Lunghezza: 2,9 mm
Tecnologia: Si
Larghezza: 1,3 mm
Marca: SU Semiconduttore
Corrente continua del collettore: - 0,6 A
Collettore CC/guadagno di base hfe min: 75
Tipologia di prodotto: BJT - Transistor bipolari
Quantità confezione di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistor
Unità di peso: 0,001058 once

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