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Attributo | Valore |
Produttore: | SU Semiconduttore |
Categoria di prodotto: | Transistor bipolari - BJT |
RoHS: | Dettagli |
Stile di montaggio: | SMD/SMT |
Confezione/caso: | SOT-23-3 |
Polarità del transistor: | NPN |
Configurazione: | Separare |
Tensione Collettore-Emettitore VCEO Max: | 40 V |
Collettore-Base Tensione VCBO: | 75 V |
Emettitore- Base Tensione VEBO: | 6 V |
Tensione di saturazione collettore-emettitore: | 1 v |
Corrente massima del collettore CC: | 0,6 A |
Pd - Dissipazione di potenza: | 225 mW |
Guadagno Larghezza di banda Prodotto fT: | 300MHz |
Temperatura operativa minima: | - 55 C |
Temperatura operativa massima: | + 150 C |
Serie: | MMBT2222AL |
Confezione: | Tagliare il nastro |
Confezione: | Bobina di topo |
Confezione: | Bobina |
Altezza: | 0,94 mm |
Lunghezza: | 2,9 mm |
Tecnologia: | Si |
Larghezza: | 1,3 mm |
Marca: | SU Semiconduttore |
Corrente continua del collettore: | 0,6 A |
Tipologia di prodotto: | BJT - Transistor bipolari |
Quantità confezione di fabbrica: | 3000 |
Sottocategoria: | Transistor |
Unità di peso: | 0,001058 once |
Precedente: MMBT3906LT1G Transistor bipolari PNP 200mA 40V 300mW SOT-23(SOT-23-3) – BJT RoHS Prossimo: 2N7002LT1G N-Channel 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS